IGBT IXFN44N80

IGBT IXFN44N80: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT IXFN44N80 — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других силовых электронных устройств. Модель сочетает высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и надежную работу при высоких напряжениях.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 800 В)
• Ток коллектора (I_C = 44 А при 25°C, 88 А при импульсном режиме)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) ≈ 1.8 В)
• Быстрое переключение с низкими динамическими потерями
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Корпус TO-247 с хорошим теплоотведением
• Рабочая температура: -55°C … +150°C

Технические характеристики (основные параметры):

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В |
| Ток коллектора (I_C при 25°C) | 44 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 88 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 44 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Диод прямой ток (I_F) | 44 А |
| Диод пиковый ток (I_FSM) | 88 А |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели):

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW40N65H5 (650 В, 40 А)
• STMicroelectronics: STGW40H65DFB (650 В, 40 А)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH40N60SFD (600 В, 40 А)
• Mitsubishi: CM400DY-24A (1200 В, 400 А, модуль)

Совместимые модели IXYS (аналогичные параметры):

• IXFN38N100 (1000 В, 38 А)
• IXFN32N120 (1200 В, 32 А)
• IXFN52N60 (600 В, 52 А)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и управление двигателями
• Системы резервного питания (UPS)

Если нужны дополнительные данные (графики, datasheet), уточните!