IGBT IXGH24N170

Описание IGBT IXGH24N170

IXGH24N170 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1700 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 24 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод

Технические характеристики IXGH24N170

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 24 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 48 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | ~3 В (при 24 А) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~500 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXGH24N170A (улучшенная версия с меньшими потерями)
• IXGH24N170B (модификация с другим корпусом)
• IXGH20N170 (20 А, 1700 В)
• IXGH30N170 (30 А, 1700 В)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 20 А, 1200 В)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 25 А, 1200 В)
• HGTG20N170D (Microsemi, 20 А, 1700 В)
• STGW30NC170HD (STMicroelectronics, 30 А, 1700 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно V_CES, I_C и время переключения.