IGBT IXGH32N170

IGBT IXGH32N170
Артикул: 298470

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT IXGH32N170

Описание IGBT IXGH32N170

IXGH32N170 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании IXYS (ныне часть Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

  • Инверторы и преобразователи мощности
  • Промышленные приводы
  • Сварочное оборудование
  • Системы управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|--------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1700 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 32 А | | Ток импульсный (ICM) | 64 А | | Мощность рассеивания (PD) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 2.4 В (при IC = 32 А) | | Время включения (ton) | 120 нс | | Время выключения (toff) | 500 нс | | Тепловое сопротивление (RθJC) | 0.63 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный вариант — TO-247 Plus) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и парт-номера:

  • IXGH32N170A (обновленная версия)
  • IXGH32N170B (модификация с улучшенными характеристиками)
  • IXGH32N170C (вариант с оптимизированными динамическими параметрами)

Совместимые/аналогичные модели от других производителей:

  • IRG4PH50UD (Infineon, 1200 В, 45 А)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 25 А)
  • HGTG30N60A4D (Microsemi, 600 В, 60 А)
  • STGW30NC170HD (STMicroelectronics, 1700 В, 30 А)

Примечания

  • При замене на аналог важно учитывать напряжение, ток, скорость переключения и корпус.
  • Для высокочастотных применений лучше выбирать модели с меньшими ton/toff.
  • Рекомендуется проверять даташит на совместимость в конкретной схеме.

Если нужны дополнительные параметры или уточнения, укажите — помогу!

Товары из этой же категории