IGBT IXGH40N120B2D1

Описание IGBT IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1 — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, разработанный для мощных высоковольтных приложений. Он обладает низкими коммутационными потерями и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его идеальным для инверторов, сварочного оборудования, импульсных источников питания и промышленных приводов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 20 А (непрерывный) | | Пиковый ток (I_CM) | 80 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В (при I_C = 40 А) | | Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Встроенный диод | Да (UltraFast) |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXGH40N120B2 (базовая модель)
• IXGH40N120B2D1 (версия с улучшенными характеристиками)

Совместимые / аналогичные модели

1. IRG4PH40UD (International Rectifier)
2. FGA40N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
3. HGTG40N120B3D (Microsemi)
4. STGW40H120DF2 (STMicroelectronics)
5. APT40GF120J (Microchip)

Примечания

• Для замены рекомендуется проверять параметры V_CES, I_C и скорость переключения.
• IGBT с маркировкой "D" (как в IXGH40N120B2D1) обычно имеют встроенный быстрый диод.

Если нужны более точные аналоги или параметры для конкретной схемы, уточните условия работы (частота, нагрузка, охлаждение).