IGBT IXGH-40N60C2D1

Описание IGBT IXGH-40N60C2D1

IXGH-40N60C2D1 – это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 40 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,0 В (при I_C = 40 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Встроенный диод | Быстрый восстановительный (UltraFast) |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0,42 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный или неизолированный вариант) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXGH-40N60B2D1 (более старая версия)
• IXGH-40N60A2D1
• FGA40N60SMD (Fairchild/ON Semi)
• IRG4PC40UD (Infineon)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (схожие параметры, возможна замена после проверки схемы):

• IXGH-32N60C2D1 (32 А, 600 В)
• IXGH-50N60C2D1 (50 А, 600 В)
• HGTG40N60C3 (40 А, 600 В, Infineon)
• NGTB40N60S2WG (40 А, 600 В, ON Semiconductor)

Примечания по замене

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики встроенного диода.
• Учитывайте различия в тепловых параметрах и управляющих напряжениях (V_GE).

Если требуется точный аналог, рекомендуется сверяться с даташитами производителей (IXYS, Infineon, STMicroelectronics).