IGBT IXGM40N60A

Описание IGBT IXGM40N60A

IXGM40N60A – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, электроприводы и системы управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Быстрая скорость переключения.
• Встроенный обратный диод для защиты от перенапряжений.
• Широкая область безопасной работы (SOA).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Структура | N-канальный IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А (непрерывный) |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А (непрерывный) |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 80 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 40 А) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 160 нс |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,38 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур (T_j) | -55°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXGH40N60A (аналогичный IGBT от IXYS)
• IXGH40N60B (более новая версия)
• IXGN40N60A (версия в другом корпусе)

Совместимые модели (аналоги)

1. IRG4PH40UD (International Rectifier)
2. FGA40N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
3. HGTG40N60A4D (Microsemi)
4. STGW40NC60WD (STMicroelectronics)
5. FGH40N60SFD (ON Semiconductor)

Эти модели имеют схожие характеристики (600 В, 40 А) и могут использоваться в аналогичных схемах, но перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!