IGBT IXGN200N60B

Описание IGBT IXGN200N60B

IXGN200N60B — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от производителя IXYS (ныне часть Littelfuse). Предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Высокая стойкость к перегрузкам и коротким замыканиям.
• Быстрое переключение, что снижает потери в ключевом режиме.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 400 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.85 В (при I_C = 200 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 600 Вт (с теплоотводом) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (наносекундный диапазон) |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-247) |

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги:

• IXGN200N60B3 (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXGH200N60B3 (близкий аналог от IXYS)
• FGH60N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRGP4063DPBF (International Rectifier/Infineon)

Похожие по параметрам (возможна замена с проверкой схемы):

• STGW200NC60WD (STMicroelectronics)
• NGTB200N60S3 (ON Semiconductor)
• APT200GN60B2G (Microsemi)

Примечания по замене

• Перед заменой проверяйте распиновку корпуса и характеристики управляющего напряжения.
• Учитывайте разницу в динамических параметрах (например, скорость переключения и потери).
• Для мощных применений рекомендуется использовать радиатор и термопасту.

Если нужны дополнительные данные (графики, применение в конкретных схемах), уточните запрос!