IGBT IXGN60N60C2D1

Описание IGBT IXGN60N60C2D1

IXGN60N60C2D1 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании IXYS (Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, сварочное оборудование и электроприводы.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (600 В)
• Большой ток коллектора (60 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение благодаря технологии Trench-Gate.
• Высокая стойкость к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А (непрерывный) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 120 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 30 А, 25°C) | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Диапазон рабочих температур | -55°C … +150°C | | Корпус | TO-264 (3-выводной) | | Тип затвора | Изолированный |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (на замену):

• IXGN60N60C2 (тот же чип, другой корпус)
• IXGH60N60C2D1 (близкий аналог)
• FGA60N65SMD (Fairchild, 650 В, 60 А)
• IRG4PC50UD (Infineon, 600 В, 55 А)

Похожие модели (альтернативы):

• STGW60NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 60 А)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor, 600 В, 60 А)
• APT60GF60B2G (Microsemi, 600 В, 60 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и управление двигателями

Если требуется замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики корпуса. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!