IGBT IXGN72N60C3H1

Описание IGBT IXGN72N60C3H1

IXGN72N60C3H1 – это мощный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Обладает низкими коммутационными потерями и высокой эффективностью, что делает его подходящим для:

• Инверторов и преобразователей
• Сварочного оборудования
• Индукционного нагрева
• Импульсных источников питания
• Управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 72 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 42 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 144 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 72 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0,42 °C/Вт |
| Время включения (t_on) | 24 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS:

• IXGN72N60C2H1
• IXGN72N60A
• IXGN60N60C3

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IHW72N60R3
• STMicroelectronics: STGW72N60S3
• Fairchild/ON Semi: FGH72N60SFD
• Toshiba: GT60QR21

Примечания

• Перед заменой рекомендуется проверить разводку платы, так как параметры корпусов и расположение выводов могут отличаться.
• Для оптимального охлаждения рекомендуется использовать радиатор.

Если нужны дополнительные данные (графики, применение в схемах), уточните!