IGBT IXGT32N170A

Описание IGBT IXGT32N170A

IXGT32N170A — это N-канальный IGBT-транзистор с высоким напряжением и током, разработанный для мощных импульсных и инверторных применений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости).

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Системы резервного питания (UPS)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 32 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 64 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) при 16 А | 3.0 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | от -40°C до +150°C |
| Входная емкость (C_ies) | 2800 пФ |
| Корпус | TO-247 (IXGT) |
| Тип затвора | Стандартный (не суперзатворный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. IXYS (Littelfuse):
   • IXGH32N170A (аналог с близкими параметрами)
   • IXGH32N170B (модификация с улучшенными характеристиками)
2. Infineon:
   • IHW32N170R5 (из серии IHW, с низкими потерями)
3. Fuji Electric:
   • 2MBI200U2A-170 (модульный IGBT, для замены в схемах)
4. Mitsubishi:
   • CM300DY-34A (модуль на 1700 В)

Совместимые модели (по корпусу и характеристикам):

• IXGT32N120 (1200 В, 32 А)
• IXGT32N60 (600 В, 32 А)
• IXGT40N170 (1700 В, 40 А)

Примечание

Перед заменой проверяйте:

• Напряжение и ток коллектора (V_CES, I_C)
• Характеристики затвора (V_GE, C_ies)
• Тепловые параметры (R_thJC)

Если требуется более современный аналог, можно рассмотреть SiC-транзисторы (например, Cree/Wolfspeed CAS300M17BM2), но они требуют изменения схемы управления.

Для точного подбора замены рекомендуется использовать datasheet и консультацию с производителем.