IGBT IXGX32N170H1

Описание IGBT IXGX32N170H1

IXGX32N170H1 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1700 В и номинальным током 32 А. Применяется в высоковольтных импульсных преобразователях, инверторах, промышленных приводах и системах управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение V_CES = 1700 В
• Номинальный ток I_C = 32 А (при 25°C)
• Пиковый ток I_CM = 64 А
• Низкое падение напряжения V_CE(sat) ≈ 2,3 В
• Быстрое переключение и низкие потери
• Корпус TO-247 (изолированный или неизолированный вариант)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Ток коллектора (I_C) | 32 А |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 64 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 250 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,3 В (при I_C = 32 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0,5 °C/Вт |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS (Littelfuse):

• IXGH32N170 (близкий аналог, возможно, с другими корпусными исполнениями)
• IXGH32N170H1 (похожие параметры)

Аналоги от других производителей:

• Infineon:
  • IKW40N170H3 (1700 В, 40 А, TO-247)
  • IKW30N170H3 (1700 В, 30 А, TO-247)
• STMicroelectronics:
  • STGW35HF170WD (1700 В, 35 А, TO-247)
• Fuji Electric:
  • 2MBI200U2A-170 (модуль, но с аналогичными характеристиками)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания
• Электроприводы и двигатели
• Системы управления энергией

Если нужны дополнительные параметры (графики, динамические характеристики), уточните!