IGBT IXLF19N250A

Описание IGBT IXLF19N250A

IXLF19N250A — это N-канальный IGBT-транзистор с высоким напряжением и током, предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления энергией.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Максимальное напряжение (V_CES) | 2500 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 19 А (при 100°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 38 А (кратковременно) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 3.0 В (при I_C = 19 А) | | Включение/выключение | Быстрое переключение (~100 нс) | | Корпус | TO-264 (аналог TO-247) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при T_C = 25°C) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C | | Встроенный диод | Нет |

Парт-номера (аналоги и замены)

• IXYS: IXLF19N250A (оригинал)
• Infineon: IHGT19N250A
• Fairchild/ON Semi: FGA19N250
• Toshiba: GT20N250
• STMicroelectronics: STGW19NC250

Совместимые модели

Для замены можно рассмотреть IGBT с близкими параметрами:

• IXLF20N250 (20 А, 2500 В)
• IXGN20N250A (20 А, 2500 В, TO-247)
• IXGH20N250 (20 А, 2500 В, TO-247)
• IRG4PH50UD (21 А, 1200 В, если допустимо меньшее напряжение)

Примечание

При замене учитывайте:

• Напряжение и ток коллектора.
• Скорость переключения и потери.
• Наличие/отсутствие встроенного диода.

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинал IXLF19N250A или аналоги от Infineon/IXYS.