IGBT IXSN80N60A

Описание IGBT IXSN80N60A

IXSN80N60A — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и номинальным током 80 А. Он предназначен для высокоэффективных силовых приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)

Транзистор выполнен в корпусе TO-247, что обеспечивает хорошие тепловые характеристики и удобство монтажа.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 160 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 40 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 330 Вт |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Оригинальные аналоги от IXYS (Littelfuse):

• IXGH80N60A (похожие параметры, корпус TO-247)
• IXGH80N60B (более высокая скорость переключения)
• IXGH80N60C (оптимизирован для низких потерь)

Совместимые модели от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А, TO-247AC)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650 В, 60 А, TO-3PN)
• STGW80H60DF (STMicroelectronics, 600 В, 80 А, TO-247)
• NGTB40N60S3G (ON Semiconductor, 600 В, 40 А, TO-263)

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение и ток коллектора (V_CES, I_C)
• Скорость переключения (t_on/t_off)
• Тепловые параметры (P_D, R_θJC)
• Тип корпуса (TO-247, TO-3P, TO-264 и др.)

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть IXGN80N60A (в корпусе TO-264) или IXGH100N60B (100 А).

Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты и сравнивать параметры в конкретной схеме.

Если нужны дополнительные данные или схемы подключения, уточните!