IGBT IXXK200N60C3

Описание IGBT IXXK200N60C3

IXXK200N60C3 – это высоковольтный IGBT-транзистор от IXYS, предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 600 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 200 А) при 100 °C
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat) = 2.1 В при 100 А)
• Быстрая коммутация и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод
• Корпус TO-264, обеспечивающий хороший теплоотвод

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 200 А (при 100 °C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 100 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 45 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 250 нс |
| Встроенный диод (FWD) | Да |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.18 °C/Вт |
| Корпус | TO-264 (ISOTOP) |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги:

• IXYS (Littelfuse):
  • IXKN200N60C3 (тот же чип, другой корпус)
  • IXKN200N60B3 (более старая версия)
• Infineon:
  • IKW75N60T (меньший ток, но совместим по напряжению)
  • IKW200N60T (аналог по току и напряжению)
• Fuji Electric:
  • 2MBI200U4A-060 (модуль с аналогичными параметрами)

Совместимые альтернативы (похожие характеристики):

• STMicroelectronics: STGW200NC60WD (600 В, 200 А, TO-247)
• ON Semiconductor: NGTB200N60S3WG (600 В, 200 А, TO-247)
• Mitsubishi: CM200DY-24NF (IGBT-модуль, но с близкими параметрами)

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Электроприводы
• Импульсные источники питания
• Системы управления электродвигателями

Если нужна более точная замена с учетом схемотехники, уточните требуемые параметры (например, корпус, тепловые характеристики).