IGBT IXXN200N60B3

Описание IGBT IXXN200N60B3

IXXN200N60B3 – это N-канальный IGBT-транзистор с ультранизким падением напряжения в открытом состоянии (Ultra-Low VCE(sat)) и высокой стойкостью к перегрузкам. Применяется в мощных инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 120 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) при 200 А | 1.85 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 625 Вт |
| Время включения (t_on) | 48 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXYN200N60B3 (аналог от IXYS)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 45 А, но с меньшим током)
• FGH60N60SMD (Fairchild/ON Semi, 600 В, 60 А)
• STGW60NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 60 А)

Совместимые модели для замены (с проверкой по схеме):

• IXGN200N60B3 (версия с улучшенными динамическими параметрами)
• IXDN200N60B3 (высокоскоростная версия)
• APT200GN60B3 (Microsemi, аналогичные параметры)

Примечание

Перед заменой проверяйте:

• Распиновку (особенно в корпусе TO-247).
• Напряжение и ток в конкретной схеме.
• Параметры драйвера управления (V_GE, заряд затвора).

Если требуется модель с улучшенной эффективностью на высоких частотах, рассмотрите SiC-транзисторы (например, C3M0065090D от Wolfspeed).