IGBT IXXX200N65B4

Описание IGBT модуля IXXX200N65B4

IGBT IXXX200N65B4 – это мощный транзисторный модуль с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями
• Системы возобновляемой энергетики

Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и простоту монтажа на теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип устройства | IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 400 А |
| Мощность (P_tot) | до 600 Вт (зависит от охлаждения) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Диапазон температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (проверяйте распиновку и характеристики!):

• Infineon: IKW200N65H5, IKW200N65ES5
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-065
• Mitsubishi: CM200DU-12NFH
• ON Semiconductor: NGTB200N65FL2WG
• STMicroelectronics: STGW200NC65WD

Популярные парт-номера для поиска:

• IXXX200N65B4 (оригинальный)
• IXYS200N65B4 (возможный производитель IXYS)
• 200N65B4 (сокращенный вариант)

Примечания

1. Перед заменой проверяйте:
   • Распиновку и монтажные размеры
   • Напряжение, ток и динамические параметры
2. Для точного соответствия рекомендуется использовать datasheet оригинального производителя.

Если у вас есть дополнительные параметры (например, производитель), уточните – я помогу найти более точные аналоги!