IGBT IXYH50N120C3

Описание IGBT IXYH50N120C3

IXYH50N120C3 – это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 50 А, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой устойчивостью к перегрузкам и встроенным быстрым диодом.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 330 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 160 нс
• Встроенный диод: Да (быстрый обратный диод)

Термические параметры:

• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,38 °C/Вт

Корпус:

• Тип корпуса: TO-247
• Контактная группа: 3 вывода (коллектор, эмиттер, затвор)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IXYS IXYH50N120B3 (аналог с близкими параметрами)
• Infineon IKW50N120T2
• STMicroelectronics STGW50NC120HD
• Fuji Electric 2MBI100U4A-120
• Mitsubishi CM50DY-24H

Похожие модели для замены (с проверкой распиновки!):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• APT50GR120J (Microsemi)
• HGTG50N120BND (ON Semiconductor)

Примечания:

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, особенно встроенный диод.
2. Для высокочастотных приложений лучше выбирать модели с меньшим временем переключения.

Если нужны более точные аналоги или параметры для конкретного применения – уточняйте условия работы (частота, температура, нагрузка).