IGBT IXYN100N120C3

Описание и технические характеристики IGBT IXYN100N120C3

IXYN100N120C3 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) от IXYS, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Ключевые характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 65 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) при 100 А | 2.5 В (тип.) |
| Энергия включения (E_on) | 6.5 мДж (тип.) |
| Энергия выключения (E_off) | 3.5 мДж (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-247) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXGN100N120C3 (аналог от IXYS с улучшенными динамическими характеристиками)
• IXYN100N120B3 (близкий аналог, но с другими динамическими параметрами)
• IRG4PH50UD (от Infineon, 1200V, 55A)
• FGA25N120ANTD (от Fairchild/ON Semi, 1200V, 25A, но в другом корпусе)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• HGTG30N120B3D (от STMicroelectronics)
• NGTB50N120FL2WG (от ON Semiconductor)

Примечание

При замене IGBT необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Динамические характеристики (E_on, E_off)
• Тепловые параметры
• Распиновку корпуса

Если нужен точный аналог, лучше выбирать из моделей IXYS (Littelfuse) или проверенных производителей (Infineon, STMicroelectronics, ON Semi).

Нужна дополнительная информация по применению или аналогам?