IGBT IXYN30N170CV1

Описание IGBT IXYN30N170CV1

IXYN30N170CV1 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) с напряжением коллектор-эмиттер 1700 В и током коллектора 30 А. Применяется в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение, подходит для высокочастотных приложений.
• Встроенный антипараллельный диод (Flyback diode) для защиты от обратных напряжений.
• Корпус TO-247 (аналог TO-218), обеспечивающий хороший теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения V_CE(sat) | ~1.85 В (при I_C = 30 А) |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (аналогичные параметры)

• Infineon: IKW30N170H3 (1700 В, 30 А, TO-247)
• STMicroelectronics: STGW30NC170HD (1700 В, 30 А, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-170 (1700 В, 30 А, модуль)
• Mitsubishi: CM300DY-34A (модуль, 1700 В, 300 А в другой конфигурации)

Похожие IGBT (возможна замена в некоторых схемах)

• IXYS (Littelfuse): IXGH30N170A (1700 В, 30 А, TO-247)
• ON Semiconductor: NGTB30N170FL2WG (1700 В, 30 А, TO-247)
• Toshiba: GT30J170 (1700 В, 30 А, TO-247)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и условия работы в конкретной схеме.