IGBT j2-q02a-f

Описание IGBT модуля J2-Q02A-F

J2-Q02A-F – это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) модуль, предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его подходящим для промышленных и коммерческих применений.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип: IGBT модуль (полумост или другой топологии, уточнить по datasheet)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В / 1200 В (зависит от версии)
• Номинальный ток (I_C): 20–50 А (точное значение зависит от модели)
• Максимальный импульсный ток (I_CP): Уточняется в спецификации
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1.5–2.5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): Наносекундный диапазон
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C (корпус)

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.5–1.0 K/W
• Корпус: Изолированный (обычно с базовой пластиной для монтажа на радиатор)

Защита и особенности:

• Встроенный свободный диод (Flyback diode)
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Низкие коммутационные потери

Парт-номера и совместимые модели

(Точные аналоги зависят от производителя, возможные замены):

Оригинальный номер:

• J2-Q02A-F (возможно, производитель Mitsubishi, Infineon или другой)

Аналоги и замены:

• Infineon: FF50R12RT4, FF75R12KE3
• Mitsubishi: CM75DY-12H, CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50VA-060, 2MBI75VA-060
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS: IXGH50N60B3
• STMicroelectronics: STGW30H60DF

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet оригинального модуля и сравнивать параметры:

• Напряжение V_CES
• Ток I_C
• Топологию (полумост, полный мост и т. д.)
• Габариты и расположение выводов

Если у вас есть дополнительная информация (производитель, фото маркировки), можно уточнить аналоги.