IGBT K07N120

Описание IGBT K07N120

IGBT K07N120 – это транзистор с изолированным затвором (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости).

Модель K07N120 рассчитана на работу в цепях с высоким напряжением и током, что делает её пригодной для:

• Инверторов и преобразователей частоты
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных приводов
• Сварочного оборудования

Технические характеристики IGBT K07N120

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT | | Максимальное напряжение V_CES | 1200 В | | Максимальный ток коллектора I_C (при 25°C) | 7 А | | Максимальный импульсный ток I_CM | 14 А | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2.0 В (при 7 А, 25°C) | | Время включения t_d(on) | 18 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 85 нс (тип.) | | Мощность рассеивания P_D | 35 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 (TO-3P) | | Диапазон рабочих температур | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены для K07N120:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IRG7PH42UD (International Rectifier)
• FGA7N120ANTDTU (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG7N120BN (Microsemi)
• STGW7NC120HD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с проверкой по datasheet):

• IXGH7N120A (IXYS)
• APT7N120J (Microchip)
• NGTB7N120FW (ON Semiconductor)

Примечание по замене

Перед заменой рекомендуется:

1. Сравнить распиновку корпуса (особенно если используется другой производитель).
2. Проверить соответствие по V_CES, I_C и скорости переключения.
3. Учесть тепловые характеристики (возможна доработка системы охлаждения).

Если требуется точная замена, лучше выбирать оригинал или аналог с маркировкой N120 (напряжение 1200 В) и током 7 А.

Нужна дополнительная информация по конкретному применению? Уточните детали!