IGBT K120A01

Описание IGBT K120A01

IGBT K120A01 — это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод
• Надежная конструкция для промышленного применения

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC @ 25°C) | 120 A |
| Ток коллектора (IC @ 100°C) | 60 A |
| Пиковый ток (ICM) | 240 A |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В |
| Время включения (ton) | 50 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Мощность рассеивания (PD) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C…+150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N120BND (Microsemi)
• IXGH120N30B3 (IXYS)

Совместимые модели в схемах:

• K100A01 (аналог с током 100 А)
• K150A01 (аналог с током 150 А)
• K120A02 (модификация с улучшенными параметрами)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие характеристик, особенно по напряжениям, токам и корпусу. Некоторые аналоги могут иметь отличия в динамических параметрах.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!