IGBT k209a02

Артикул: 298540
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT k209a02
Описание IGBT K209A02
IGBT K209A02 — это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Характеризуется высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
- Ток коллектора (IC): до 20 А (при 25°C)
- Ток импульсный (ICM): до 40 А
- Мощность рассеивания (Ptot): ~150 Вт (зависит от охлаждения)
- Напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В
- Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): ~1,8 В (при IC = 20 А)
- Время включения (ton): ~50 нс
- Время выключения (toff): ~150 нс
- Температура перехода (Tj): -55°C до +150°C
- Корпус: TO-247 (или аналог)
Дополнительные особенности:
- Встроенный обратный диод
- Высокая устойчивость к перегрузкам
- Низкое сопротивление в открытом состоянии
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (замены):
- IRGP20B60PD1 (International Rectifier)
- FGA20N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG20N60C3 (Microsemi)
- STGW20NC60WD (STMicroelectronics)
- IXGH20N60B3 (IXYS)
Близкие по характеристикам (требуется проверка схемы):
- K20A60, K20A60D
- IRG4PH40UD, IRG4PC50U
Применение
- Инверторы и частотные приводы
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Сварочное оборудование
- Управление электродвигателями
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и параметры схемы. Некоторые аналоги могут иметь отличия в скорости переключения или тепловых характеристиках.
Нужна дополнительная информация?