IGBT k209a02

Описание IGBT K209A02

IGBT K209A02 — это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Характеризуется высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): до 20 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 40 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~150 Вт (зависит от охлаждения)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (при I_C = 20 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или аналог)

Дополнительные особенности:

• Встроенный обратный диод
• Высокая устойчивость к перегрузкам
• Низкое сопротивление в открытом состоянии

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IRGP20B60PD1 (International Rectifier)
• FGA20N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60C3 (Microsemi)
• STGW20NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH20N60B3 (IXYS)

Близкие по характеристикам (требуется проверка схемы):

• K20A60, K20A60D
• IRG4PH40UD, IRG4PC50U

Применение

• Инверторы и частотные приводы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и параметры схемы. Некоторые аналоги могут иметь отличия в скорости переключения или тепловых характеристиках.

Нужна дополнительная информация?