IGBT K230F03

Описание IGBT K230F03

IGBT K230F03 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и силовых приложений, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 300 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 30 А (макс.) | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 15 А (макс.) | | Пиковый ток (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,5 – 6,5 В | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 120 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Температура хранения (T_stg) | -55°C до +150°C | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PC30U (International Rectifier)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IXGH30N60B (IXYS)
• APT30GR60J (Microchip)
• IRGP30B120 (Infineon)

Примечания:

1. Перед заменой убедитесь в совпадении ключевых параметров (V_CES, I_C, корпус).
2. Рекомендуется проверять datasheet на предмет различий в характеристиках.
3. Для высокочастотных схем критично время переключения (t_on/t_off).

Если вам нужен более точный подбор аналога, укажите конкретное применение и параметры схемы.