IGBT K25T1202

Описание IGBT K25T120

K25T120 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как:

• Инверторы и импульсные источники питания
• Драйверы двигателей (например, в сварочных аппаратах)
• Управление мощными нагрузками в промышленной электронике

Этот IGBT обладает высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики K25T120

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 50 А | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при I_C = 25 А) | | Мощность рассеяния (P_tot) | ~200 Вт | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (возможны варианты TO-3P) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier) – 1200V, 45A, TO-247
• HGTG20N120BND (Fairchild/ON Semi) – 1200V, 20A, TO-247
• FGA25N120ANTD (Fairchild) – 1200V, 25A, TO-3P
• IXGH25N120B3 (IXYS) – 1200V, 25A, TO-247
• STGW25NC120HD (STMicroelectronics) – 1200V, 25A, TO-247

Похожие модели от других производителей:

• GT25Q121 (Toshiba)
• NGTB25N120FL2WG (ON Semiconductor)

Примечания:

• Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах.
• Для обеспечения надежной работы рекомендуется использовать радиатор и термопасту.

Если вам нужны аналоги для конкретного применения (например, в инверторе или сварочном аппарате), уточните условия эксплуатации для более точного подбора замены.