IGBT k30n60

IGBT K30N60: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT K30N60 – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других мощных электронных устройствах. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|---------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Максимальная импульсная мощность (P_CM) | 300 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (стандартный) |

Аналоги и совместимые модели

• Прямые аналоги (альтернативы):
  • IRG4PC50U (International Rectifier)
  • FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG30N60A4D (Infineon)
  • STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• Частично совместимые (с учетом характеристик):
  • K25N60 (более слабый ток)
  • K40N60 (более мощный аналог)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Драйверы двигателей

Если вам нужны более точные параметры для конкретной схемы, уточните условия работы (частота коммутации, охлаждение и т. д.).