IGBT K30N60HS

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT K30N60HS
Описание и технические характеристики IGBT K30N60HS
K30N60HS – это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:
- Инверторы и импульсные источники питания (SMPS)
- Драйверы двигателей
- Системы сварочных аппаратов
- UPS (источники бесперебойного питания)
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 30 А (макс.) | | Ток коллектора (IC) при 100°C | 15 А (макс.) | | Импульсный ток (ICM) | 60 А (макс.) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ≤ 2,5 В (при 30 А) | | Рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт | | Температура перехода (Tj) | от -55°C до +150°C | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В (макс.) | | Корпус | TO-247 (3pin) |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги (cross-reference):
- IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 50A)
- FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor, 600V, 30A)
- HGTG30N60A4D (Renesas, 600V, 30A)
- STGW30NC60WD (STMicroelectronics, 600V, 30A)
Совместимые модели (по характеристикам):
- K25N60, K40N60 (той же серии, но с другим током)
- IRGP30B60PD (600V, 30A, TO-247)
- IXGH30N60B (IXYS, 600V, 30A)
Примечание
Перед заменой рекомендуется уточнить разводку выводов и параметры в даташите, так как у некоторых аналогов могут отличаться характеристики по времени переключения и тепловому сопротивлению.
Если нужен полный даташит или информация по применению, уточните запрос!