IGBT K40H1203

IGBT K40H1203: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT K40H1203 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 40 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и высокая надежность
• Встроенный антипараллельный диод

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------------|---------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 40 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 20 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 80 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,5 В (при I_C = 20 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 (возможны аналоги) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH40N120B3 (IXYS/Littelfuse)
• HGTG40N120B3 (Microsemi)

Близкие по характеристикам:

• K30H1203 (30 А, 1200 В)
• K50H1203 (50 А, 1200 В)
• IRG4PC50UD (50 А, 1200 В)
• FGA25N120ANTD (25 А, 1200 В)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet и сравнивать параметры, особенно V_CE(sat), C_ies, и скорость переключения.

Заключение

IGBT K40H1203 подходит для мощных преобразователей и инверторов. Его можно заменить на аналогичные модели от других производителей, но важно учитывать токовые и тепловые характеристики.

Если нужно подобрать аналог для конкретной схемы, уточните требования по току и скорости переключения.