IGBT k40t120

Описание и технические характеристики IGBT K40T120

IGBT K40T120 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, сварочное оборудование и электроприводы.

Основные технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 40 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 80 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 40 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• K40T120 (оригинальный номер)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA40N120AND (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG40N120B3D (Microsemi)
• IXGH40N120B3D (IXYS)
• STGW40NC120KD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• 30–50 A / 1200 В:
  • K30T120, K50T120
  • IRG4PC50UD (50A, 1200V)
  • FGA25N120ANTD (25A, 1200V)
• Схожие по параметрам:
  • IXGH32N120B3D (32A, 1200V)
  • HGTG30N120BN (30A, 1200V)

При замене важно учитывать схему управления затвором и тепловые характеристики. Некоторые аналоги могут иметь отличия в динамических параметрах (t_on/t_off), что влияет на КПД и нагрев.

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты и сравнивать параметры V_CE(sat), Q_g (заряд затвора) и тепловое сопротивление.