IGBT k50n60

Описание IGBT транзистора K50N60

K50N60 — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и мощных приложений. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и системах управления двигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Структура | N-канальный IGBT с защитным диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Аналоги и совместимые модели

Прямые замены (аналогичные параметры):

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semi, 600V, 50A)
• HGTG50N60A4D (ON Semiconductor, 600V, 50A)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS/Littelfuse, 600V, 50A)

Близкие по характеристикам (возможна замена в некоторых схемах):

• K40N60 (40A, 600V)
• K75N60 (75A, 600V)
• IRGP50B60PD1 (Infineon, 600V, 50A)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics, 600V, 50A)

Примечание

При замене IGBT учитывайте не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также особенности драйвера управления. Рекомендуется проверять datasheet перед заменой.

Если вам нужна спецификация для конкретного производителя или дополнительные аналоги — уточните детали!