IGBT K6-31Z-P

Описание IGBT модуля K6-31Z-P

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль K6-31Z-P — это силовой полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Модуль сочетает в себе высокую скорость переключения и низкие потери, что делает его пригодным для работы в импульсных схемах с высокой частотой.

Технические характеристики K6-31Z-P

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В (возможны варианты 1200 В в других модификациях) | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | до 31 А (пиковый до 60 А) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | до 20 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~100 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и альтернативные модели

Прямые аналоги и замены:

• Infineon: IKW30N60T, IKW40N60T
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-060
• Mitsubishi: CM300DY-24NF
• ON Semiconductor: FGA30N60SMD
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (Fairchild/ON Semi)
• IXGH32N60BD1 (IXYS)

Применение

Модуль K6-31Z-P может использоваться в:

• Частотных преобразователях
• Инверторах и UPS
• Сварочных аппаратах
• Системах управления электродвигателями
• Импульсных блоках питания

Если вам нужен точный datasheet, рекомендуется уточнить параметры у производителя или проверить на сайтах Infineon, Fuji Electric, Mitsubishi.

Нужна дополнительная информация по аналогам или схемы подключения?