IGBT K75N60

Описание IGBT K75N60

K75N60 — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 75 А (при определенных условиях). Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 150 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (с радиатором)
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4–6 В
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны варианты)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG75N60 (Microsemi)
• STGW75NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH75N60 (IXYS)

Похожие модели (с другими параметрами):

• K50N60 (50 А, 600 В)
• K100N60 (100 А, 600 В)
• K40N60 (40 А, 600 В)

Примечания

• Перед заменой проверяйте datasheet, так как характеристики могут отличаться.
• Некоторые аналоги имеют улучшенные параметры (например, более низкие потери).

Если нужен точный аналог, лучше уточнить datasheet конкретного производителя.