IGBT KD22175

IGBT KD22175: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT KD22175 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Промышленных системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Силовых электроприводах

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 75 А) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (до 20 кГц) |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги (замены) KD22175:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N60SFD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG75N60A4D (Microsemi)
• IXGH75N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW75NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• KD22175 может заменяться на KD22170 (с близкими параметрами, но меньшим током).
• В некоторых схемах возможна замена на KD22180 (аналог с более высоким напряжением).

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики.
• Рекомендуется использовать с термопастой и радиатором для эффективного охлаждения.
• В высокочастотных схемах учитывайте паразитные емкости и индуктивности.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения – укажите сферу применения.