IGBT KD221K75

IGBT KD221K75: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT KD221K75 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, частотных преобразователях, сварочных инверторах и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и надежностью в работе.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 150 А (импульсный) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 75 А) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный) | | Встроенный диод | Нет (обычно используется с внешним обратным диодом) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA75N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG75N120B3D (Microsemi)
• IXGH75N120B3D (IXYS)

Похожие по характеристикам модели:

• KD221K100 (более мощный аналог, 100 А)
• KD221K50 (менее мощный, 50 А)
• STGW75HF60WD (STMicroelectronics, 600 В, 75 А)

Применение

• Сварочные инверторы
• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и рабочие параметры, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках.

Если вам нужны более точные данные (графики зависимостей, параметры при разных температурах), уточните модель производителя (Infineon, Mitsubishi, Toshiba и др.).