IGBT KD421K10

Описание IGBT KD421K10

IGBT KD421K10 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

• Тип транзистора: NPT-IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1000 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 60 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера (аналоги и замены)

• Infineon: IKW30N100T
• Fuji Electric: 2MBI100XSA-120-50
• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• SEMIKRON: SKM100GB12T4
• IXYS: IXGH30N100

Совместимые модели

Подходит для замены в схемах с аналогичными параметрами:

• KD421K10R (версия с обратным диодом)
• KD421K15 (аналог на 1500 В)
• IXGN30N100 (аналог от IXYS)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужна дополнительная информация по аналогам или datasheet, уточните параметры замены!