IGBT ked245a1

Описание IGBT KED245A1

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) KED245A1 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в импульсных преобразователях, инверторах, электроприводах и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе преимущества биполярных транзисторов (высокую токовую нагрузку) и MOSFET (низкое управляющее напряжение).

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики IGBT KED245A1

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А | | Пиковый ток (I_CM) | 100 А | | Макс. напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 25 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW50H60DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• KED240A1 (аналог с меньшим током)
• KED250A1 (аналог с большим током)
• KED245B1 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если вам нужна точная замена, рекомендуется сверять datasheet и параметры схемы, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Нужны ли дополнительные данные по этому IGBT?