IGBT kr224505

IGBT KR224505: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) KR224505 – это мощный полупроводниковый прибор, используемый в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях. Обладает высокой переключательной способностью, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с диодом обратного хода | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,0 В (при 75 А) | | Время переключения (t_on/t_off) | н/д (уточняйте у производителя) | | Температура перехода (T_j) | от -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и кросс-ссылки:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGH75N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG75N60C3 (Microsemi)
• STGW75NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в инверторах и приводах:

• Модули SKM75GB12T4 (Semikron)
• FF75R12RT4 (Infineon)
• MG75Q6ES40 (Mitsubishi)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если вам нужны точные параметры для замены, рекомендуется сверяться с даташитами производителей, так как характеристики могут незначительно отличаться.