IGBT LAH50-P

Описание IGBT LAH50-P

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) LAH50-P – это мощный полупроводниковый ключ, предназначенный для использования в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и импульсных источниках питания. Этот модуль сочетает высокую переключающую способность с низкими потерями, обеспечивая эффективное управление большими токами и напряжениями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 75 А |
| Ток коллектора при 100°C | 50 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 180 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT LAH50-P может заменяться или быть совместимым с аналогами:

• STGW50NC60V (STMicroelectronics)
• IRG4PC50W (Infineon)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3 (Littelfuse)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров (особенно V_CES, I_C и корпус).

Нужны ли уточнения по конкретному применению?