IGBT LTP8000

IGBT LTP8000: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT LTP8000 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении
• Встроенный обратный диод для защиты схемы
• Высокая температурная стабильность
• Надежная конструкция, рассчитанная на длительную эксплуатацию

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с обратным диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 80 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 160 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5–7 В |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40 °C до +150 °C |
| Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW80N120H3
• STMicroelectronics: STGW80H120DF2
• Fuji Electric: 2MBI100U4B-120
• Mitsubishi: CM800HA-24H

Совместимые модели (аналоги):

• IRGP4063DPBF (International Rectifier)
• IXGH80N120B3 (IXYS)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и характеристики в даташите, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики зависимости тока от температуры), уточните запрос.