IGBT LTS25-NP

Описание IGBT LTS25-NP

IGBT LTS25-NP – это изолированный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный свободно-колебательный диод (FRD) для защиты от перенапряжений
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Технические характеристики IGBT LTS25-NP

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В / 1200 В (в зависимости от модификации) | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 50 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8–2.5 В | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~100–150 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.3–0.5 °C/Вт | | Корпус | TO-247, TO-3P (в зависимости от версии) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW25N120H3, IKW25N120T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD
• STMicroelectronics: STGW25H120DF
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI25N-120

Совместимые модели в схемах:

• Инверторы: заменяет IGBT с аналогичными V_CES и I_C
• Частотные преобразователи: подходит для драйверов, рассчитанных на 25–30 А
• Сварочные аппараты: совместим с модулями IRG4PH40UD, HGTG20N60A4

Примечания:

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики драйвера.
2. Для оптимального охлаждения используйте термопасту и радиатор.
3. Уточняйте параметры в даташите, так как модификации LTS25-NP могут отличаться.

Если нужен даташит или уточнение параметров – укажите производителя (например, SEMIKRON, Infineon и др.).