IGBT LUH75G1201Z

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT LUH75G1201Z
Описание IGBT модуля LUH75G1201Z
IGBT LUH75G1201Z — это высоковольтный IGBT-модуль с диодом обратного хода (антипараллельным диодом), разработанный для мощных инверторных и импульсных преобразователей. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью. Применяется в промышленных приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и возобновляемой энергетике.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Ном. ток коллектора (IC @ 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (ICM) | 150 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (ton) | 50 нс | | Время выключения (toff) | 200 нс | | Темп. перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) | | Тип крепления | Винтовое |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (альтернативы от других производителей):
- Infineon: FF75R12KE3
- Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75L-120
- Semikron: SKM75GB12T4
Похожие модули в линейке Mitsubishi (замена с проверкой распиновки):
- LUH75G1202Z (аналогичные параметры, улучшенные характеристики)
- CM75E3U-12H (альтернатива в другом корпусе)
Рекомендуемые замены:
Перед заменой необходимо сверять:
- Распиновку (pinout)
- Напряжение и токовые характеристики
- Тип корпуса и крепления
Примечание
Модуль LUH75G1201Z является устаревшим, и его производство может быть прекращено. Рекомендуется рассматривать современные аналоги с улучшенными параметрами (например, Infineon FF75R12KE3 или Semikron SKM75GB12T4).
Если требуется точная замена, обратитесь к документации производителя или дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key, TME).