IGBT M232

Описание IGBT M232

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) M232 – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Тип: NPT IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В (или 1200 В, в зависимости от модификации)
• Ток коллектора (I_C): до 75 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300–400 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,8–2,5 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): 30–50 нс
• Время выключения (t_off): 100–200 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)

Парт-номера и совместимые модели

IGBT M232 может быть аналогом или взаимозаменяемым с такими модулями:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW40H120DF3 (STMicroelectronics)

Применение

• Преобразователи частоты (VFD)
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Индукционные нагреватели

Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитами производителей, так как параметры могут незначительно отличаться.