IGBT MBI200F120

Описание IGBT MBI200F120

MBI200F120 — это мощный IGBT-модуль, предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери и надежность благодаря передовой технологии IGBT.

Технические характеристики

• Тип модуля: IGBT с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 200 А
• Пиковый ток (I_CM): до 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,12 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (подходит для крепления на радиатор)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены (производитель Mitsubishi / Fuji Electric):

• MBI200F120 (оригинальный номер)
• CM200DY-24NF (аналог от Powerex)
• 2MBI200U4C-120 (Fuji Electric)

Совместимые модели (аналоги от других производителей):

• SKM200GB128D (Semikron)
• FF200R12KE3 (Infineon)
• MG200Q1US41 (Toshiba)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями (электромобили, лифты)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Примечание

При замене модуля на аналог необходимо учитывать характеристики корпуса, расположение выводов и параметры управления затвором, так как они могут отличаться у разных производителей.

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните запрос!