IGBT MBI200NH-060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MBI200NH-060
Описание IGBT MBI200NH-060
MBI200NH-060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:
- Преобразователи частоты
- Инверторы
- Системы управления электродвигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные сварочные аппараты
Модуль объединяет IGBT и диод в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток (IC) | 200 А |
| Импульсный ток (ICP) | 400 А |
| Мощность рассеяния (Ptot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В (при 200 А) |
| Время включения (ton) | 70 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Корпус | Изолированный (с термопрокладкой) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Вес | ~80 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Fuji Electric: 2MBI200NH-060
- Infineon: FF200R06KE3
- Mitsubishi: CM200DY-24NFH
- Semikron: SKM200GB066D
- IXYS: MIXA200NH060
Совместимые серии (по характеристикам):
- MBI серия (MBI150NH-060, MBI300NH-060)
- SKM серия (Semikron)
- CM серия (Mitsubishi)
Примечание
Перед заменой модуля рекомендуется проверять распиновку и характеристики по даташиту, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и схемотехнике.
Если вам нужна дополнительная информация (например, внутренняя структура или применение в конкретных схемах), уточните запрос.