IGBT MBI400N-120

Описание IGBT MBI400N-120

MBI400N-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и встроенным диодом обратного хода (FRD), что делает его пригодным для импульсных схем.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с антипараллельным диодом |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 400 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 800 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~2000 Вт (с радиатором) |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (рекомендуемое ±15 В) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.5 В (при 400 А) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~300 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | Модульный (например, 62мм или 2-полюсная изоляция) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• Fuji Electric: 2MBI400N-120
• Infineon: FF400R12KE3
• Mitsubishi: CM400DY-12H
• Semikron: SKM400GB12D

Частично совместимые (требуется проверка параметров):

• IXYS: IXGN400N120A3
• Hitachi: MBN400C12
• Toshiba: MG400Q1US41

Примечания:

• Перед заменой убедитесь в совпадении параметров, особенно V_CES, I_C и корпусных габаритов.
• Для работы на полной мощности требуется эффективное охлаждение (радиатор + активный обдув).
• Рекомендуется использовать драйверы с током затвора ≥5 А для снижения потерь.

Если нужны дополнительные данные (например, внутренняя структура или графики характеристик), уточните запрос!