IGBT MBI50L-060

Описание IGBT MBI50L-060

MBI50L-060 – это изолированный модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и силовых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль включает в себя IGBT-транзисторы с быстрым восстановлением и встроенные свободно-ходовые диоды (FRD), что обеспечивает эффективную работу в импульсных схемах. Корпус обеспечивает хорошие теплоотводящие свойства и электрическую изоляцию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с FRD-диодом | | Макс. напряжение | 600 В (VCES) | | Ном. ток коллектора | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (макс.) | 100 А | | Рассеиваемая мощность | ~200 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение затвора | ±20 В (VGE) | | Падение напряжения | ~2,0 В (VCE(sat) при ном. токе) | | Время включения/выключения | ton ≈ 100 нс, toff ≈ 300 нс | | Температура работы | от -40°C до +150°C (Tj max) | | Корпус | Изолированный, модульный | | Вес | ~50 г (зависит от исполнения) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Fuji Electric: 2MBI50N-060
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Infineon: FF50R06RT
• Semikron: SKM50GB063D
• IXYS: IXGH50N60

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG50Q1US41

Примечание

При замене модуля на аналог важно учитывать:

• Распиновку и крепление (могут отличаться у разных производителей).
• Тепловые характеристики (некоторые аналоги могут требовать другого охлаждения).
• Встроенные диоды (если в схеме критично время восстановления).

Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.