IGBT MBI600U4B120

IGBT MBI600U4B120
Артикул: 298667

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT MBI600U4B120

Описание IGBT MBI600U4B120

MBI600U4B120 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль используется в инверторах, преобразователях частоты, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и промышленных системах управления двигателями.

Основные преимущества:
✔ Высокая эффективность и низкие потери
✔ Быстрое переключение
✔ Встроенный диод обратного восстановления (FRD)
✔ Высокая стойкость к перегрузкам


Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 600 А |
| Пиковый ток (ICP) | 1200 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 2000 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (при 600 А) |
| Время включения (ton) | 80 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Температурный диапазон | -40°C … +150°C |
| Корпус | Модуль с изолированным основанием |
| Вес | ~250 г |


Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

  • Fuji Electric: 2MBI600U4B-120
  • Infineon: FF600R12ME4
  • Mitsubishi Electric: CM600DU-24NFH
  • Semikron: SKM600GB128D

Похожие модели (альтернативы с близкими параметрами):

  • IXYS: MBI600U4B120 (оригинал)
  • STMicroelectronics: SLLIMM600U4B120
  • ON Semiconductor: NXH600B120H4Q2

Применение

🔹 Частотные преобразователи
🔹 Сварочные аппараты
🔹 Тяговые инверторы (электромобили, поезда)
🔹 Установки плавного пуска двигателей
🔹 Солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по подключению или аналогам, уточните детали!

Товары из этой же категории