IGBT MBI75L-060

Описание IGBT MBI75L-060

MBI75L-060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах. Модуль оснащен встроенным обратным диодом, что упрощает конструкцию схем и повышает надежность.

Корпус модуля обеспечивает хороший теплоотвод и электрическую изоляцию, что делает его пригодным для промышленного применения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 75 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.62 °C/Вт | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• FGA75N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• STGW75NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG75N60A4D (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• IXGH75N60 (IXYS)
• APT75GR60J (Microchip)

Рекомендуемые замены с улучшенными характеристиками:

• IKW75N65EH5 (Infineon, 650 В, более низкие потери)
• FF75R12KE3 (Infineon, 1200 В, для более высоких напряжений)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам применения, уточните условия использования.