IGBT MBM200HS6G

Описание IGBT MBM200HS6G

MBM200HS6G – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также хорошую температурную стабильность.

Применяется в:

• Частотных преобразователях
• Инверторах
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных и тяговых приводах

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------|-------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 200 А | | Ток импульсный (I_CM) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 500 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | 70 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• MBM200HS6G (полное соответствие)
• MBM200HS060 (альтернативное обозначение)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R06KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U6A-060
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Похожие модули с другими параметрами:

• MBM150HS6G (150 А, 600 В)
• MBM300HS6G (300 А, 600 В)

Примечания по замене

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и токовую нагрузку
• Габариты и тип корпуса
• Распиновку и схему подключения
• Условия охлаждения (термопаста, радиатор)

Если требуется точный аналог, рекомендуется свериться с даташитом производителя или использовать модули с аналогичными параметрами (600 В, 200 А).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь! 🚀