IGBT mbm200hs6h

Описание IGBT MBM200HS6H

MBM200HS6H – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразователей. Модуль используется в промышленных приложениях, таких как:

• Преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Тяговые приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей тепловой стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 100°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при I_C = 200 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 250 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Модульный (изолированный) | | Схема включения | Одиночный транзистор (1 в модуле) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI200U6H-060
• Infineon: FF200R06KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24H
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Совместимые модели (по характеристикам):

• MBM100HS6H (100 А, 600 В)
• MBM300HS6H (300 А, 600 В)
• MBM200NS6H (200 А, 600 В, другой корпус)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и охлаждение, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции корпуса.

Если вам нужна дополнительная информация (datasheet, схемы подключения), уточните запрос.